Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVH4L012N065M3S

Name: onsemi NVH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L012N065M3S
Price: 208.01 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVH4L012N065M3S

Tillverk: Nr.:

NVH4L012N065M3S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVH4L012N065M3S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVH4L012N065M3S

På lager: 450

Lager:: 450 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 23 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	208,01 kr	208,01 kr
	155,32 kr	1 553,20 kr
	134,31 kr	16 117,20 kr
1 020	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	102 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	17 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	135 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	375 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	EliteSiC
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	12 ns
Förpackning:	Tube
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	23 ns
Serie:	NVH4L012N065M3S
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	49 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVH4L012N065M3S Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).