Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 515.02 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVXK2VR80WDT2

Tillverk: Nr.:

NVXK2VR80WDT2

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler APM32 SIC POWER MODULE

Livscykel:

Nytt hos Mouser

Datablad:

NVXK2VR80WDT2 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVXK2VR80WDT2

På lager: 60

Lager:: 60

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 60
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	515,02 kr	515,02 kr
	428,12 kr	4.281,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	APM-32
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	6 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	20 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	116 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.3 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	82 W
Serie:	NVXK2VR80WDT2
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	3-Phase Bridge
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9 ns
Höjd:	5.8 mm
Längd:	44.2 mm
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	12 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Power Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	21 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Bredd:	29 mm

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVXK2VR80WDT2 Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.