PJA3474S_R1_00701

Name: Panjit PJA3474S_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-PJA3474SR100701
Price: 8.7 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

241-PJA3474SR100701

Tillverk: Nr.:

PJA3474S_R1_00701

Tillverk:

Panjit

Beskrivning:

MOSFET:er 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

PJA3474S_R1_00701 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Panjit PJA3474S_R1_00701

På lager: 2 650

Lager:: 2 650 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	8,70 kr	8,70 kr
	5,42 kr	54,20 kr
	3,53 kr	353,00 kr
	2,72 kr	1 360,00 kr
	2,45 kr	2 450,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,10 kr	6 300,00 kr
	1,94 kr	11 640,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Panjit
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	118 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	4.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.25 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	11.4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	2 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	7.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	2.9 ns
Del # Alias:	PJA3474S
Enhetens vikt:	8,400 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PJA3474S_R1_00701 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.