PJD60N04S-AU_L2_002A1

Name: Panjit PJD60N04S-AU_L2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD60N04SAUL22A1
Price: 13.53 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

241-PJD60N04SAUL22A1

Tillverk: Nr.:

PJD60N04S-AU_L2_002A1

Tillverk:

Panjit

Beskrivning:

MOSFET:er 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Datablad:

PJD60N04S-AU_L2_002A1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Panjit PJD60N04S-AU_L2_002A1

På lager: 2 987

Lager:: 2 987 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	13,53 kr	13,53 kr
	10,51 kr	105,10 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	10,51 kr	31.530,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Panjit
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252AA-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	140 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.3 V
Qg - Gate-laddning:	41 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	115 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	10 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	46 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Enhetens vikt:	297 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PJD60N04S-AU_L2_002A1 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-1-17 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.