PJP100N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP100N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP100N06SAAU6A1
Price: 17.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

241-PJP100N06SAAU6A1

Tillverk: Nr.:

PJP100N06SA-AU_T0_006A1

Tillverk:

Panjit

Beskrivning:

MOSFET:er 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

PJP100N06SA-AU_T0_006A1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Panjit PJP100N06SA-AU_T0_006A1

På lager: 1 907

Lager:: 1 907 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17,27 kr	17,27 kr
	8,26 kr	82,60 kr
	7,37 kr	737,00 kr
	5,83 kr	2.915,00 kr
	5,51 kr	5.510,00 kr
	5,01 kr	12.525,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Panjit
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220AB-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	95 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6.1 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	40 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	100 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Tube
Märke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	59 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	35 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	29 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Enhetens vikt:	2,095 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PJP100N06SA-AU_T0_006A1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.