PJQ5526_R2_00201

Name: Panjit PJQ5526_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5526_R2_00201
Price: 9.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

241-PJQ5526_R2_00201

Tillverk: Nr.:

PJQ5526_R2_00201

Tillverk:

Panjit

Beskrivning:

MOSFET:er 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

PJQ5526_R2_00201 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Panjit PJQ5526_R2_00201

På lager: 2 996

Lager:: 2 996 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	9,93 kr	9,93 kr
	6,19 kr	61,90 kr
	4,06 kr	406,00 kr
	3,14 kr	1 570,00 kr
	2,84 kr	2 840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,45 kr	7 350,00 kr
	2,32 kr	13 920,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Panjit
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-5060X-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	68 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	15 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	35.7 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	23 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	24 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	13 ns
Del # Alias:	PJQ5526
Enhetens vikt:	80 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PJQ5526_R2_00201 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.