R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 19.91 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-R8002KND3TL1

Tillverk: Nr.:

R8002KND3TL1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET

Datablad:

R8002KND3TL1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor R8002KND3TL1

På lager: 5 082

Lager:: 5 082 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	19,91 kr	19,91 kr
	12,54 kr	125,40 kr
	8,62 kr	862,00 kr
	7,67 kr	3 835,00 kr
	6,41 kr	6 410,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,11 kr	15 275,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.6 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	7.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	30 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	100 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	34 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Del # Alias:	R8002KND3

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

R8002KND3TL1 Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002KN N-Channel 800V 1.6A Power MOSFETs are low on-resistance devices with fast switching. The R8002KN features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.