R8011KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8011KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8011KNZ4C13
Price: 75.24 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-R8011KNZ4C13

Tillverk: Nr.:

R8011KNZ4C13

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er TO247 800V N CH 3.5A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

R8011KNZ4C13 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor R8011KNZ4C13

På lager: 600

Lager:: 600

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 600
Fabrikens ledtid:: 20

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	75,24 kr	75,24 kr
	51,92 kr	519,20 kr
	40,15 kr	4.015,00 kr
	37,51 kr	22.506,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247G-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	11 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	450 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	37 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	139 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	25 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	25 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	70 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

R8011KNZ4C13 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.