+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

R8019KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNZ4C13
Price: 94.82 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-R8019KNZ4C13

Tillverk: Nr.:

R8019KNZ4C13

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er TO247 800V N CH 19A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

R8019KNZ4C13 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13

På lager: 600

Lager:: 600

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 600
Fabrikens ledtid:: 20

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	94,82 kr	94,82 kr
	66,22 kr	662,20 kr
	50,82 kr	5 082,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247G-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	800 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	19 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	265 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.5 V
Qg - Gate-laddning:	65 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	208 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	60 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	50 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	110 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	35 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

R8019KNZ4C13 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.