Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RD3E08BBJHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3E08BBJHRBTL
Price: 32.12 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RD3E08BBJHRBTL

Tillverk: Nr.:

RD3E08BBJHRBTL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 P-CH 30V 80A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RD3E08BBJHRBTL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL

På lager: 2 476

Lager:: 2 476

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 500
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	32,12 kr	32,12 kr
	21,01 kr	210,10 kr
	14,63 kr	1.463,00 kr
	12,54 kr	6.270,00 kr
	12,10 kr	12.100,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	11,88 kr	29.700,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	150 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	142 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Falltid:	180 ns
Transkonduktans framåt - Min:	20 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	27 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	220 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	19 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RD3E08BBJHRBTL Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.