Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RD3G03BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G03BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G03BBGTL1
Price: 22 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RD3G03BBGTL1

Tillverk: Nr.:

RD3G03BBGTL1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)

Datablad:

RD3G03BBGTL1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RD3G03BBGTL1

På lager: 3 698

Lager:: 3 698 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	22,00 kr	22,00 kr
	14,08 kr	140,80 kr
	9,65 kr	965,00 kr
	7,66 kr	3 830,00 kr
	7,34 kr	7 340,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	7,04 kr	17 600,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	65 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6.5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	18.2 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	50 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	16 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	14 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	42 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns
Del # Alias:	RD3G03BBG

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RD3G03BBGTL1 Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.