RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 21.23 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RD3N03BATTL1

Tillverk: Nr.:

RD3N03BATTL1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er TO252 P-CH 80V 30A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RD3N03BATTL1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1

På lager: 1 983

Lager:: 1 983

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 500
Fabrikens ledtid:: 18

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	21,23 kr	21,23 kr
	13,64 kr	136,40 kr
	9,25 kr	925,00 kr
	7,39 kr	3.695,00 kr
	7,00 kr	7.000,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,66 kr	16.650,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	30 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	64 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	50 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	54 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	69 ns
Transkonduktans framåt - Min:	13.4 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	225 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RD3N03BATTL1 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.