RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Tillverk:

Beskrivning:
RF MOSFET-transistorer 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Komplettera din design

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om STMicroelectronics RF3L05150CB4

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Fabrikens ledtid:
52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 100   Flera: 100
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
1.471,80 kr 147.180,00 kr

Liknande produkter

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
Reel
Cut Tape
+ 200 C
Märke: STMicroelectronics
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Förstärkning: 16 dB
Id - Kontinuerlig dräneringsström: 2.5 A
Monteringsstil: Through Hole
Antal kanaler: 1 Channel
Manövreringsfrekvens: 945 MHz
Utgångseffekt: 150 W
Paket/låda: LBB-4
Produkttyp: RF MOSFET Transistors
Rds på - Dräneringskällans resistans: 1 Ohms
Fabriksförpackningskvantitet: 100
Underkategori: MOSFETs
Teknologi: Si
Transistorns polaritet: N-Channel
Typ: RF Power MOSFET
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning: 28 V
Enhetens vikt: 2,400 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Datablad

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

STMicroelectronics RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor is a 150W, 28/32V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications. The STM RF3L05150CB4 LDMOS Transistor is designed for applications with frequencies from HF to 1GHz. The RF3L05150CB4 can be used in class AB, B, or C for all typical modulation formats.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.