Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 14.96 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RQ3G120BJFRATCB

Tillverk: Nr.:

RQ3G120BJFRATCB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RQ3G120BJFRATCB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB

På lager: 2 992

Lager:: 2 992 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14,96 kr	14,96 kr
	9,41 kr	94,10 kr
	6,27 kr	627,00 kr
	4,95 kr	2.475,00 kr
	4,50 kr	4.500,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,09 kr	12.270,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	48 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	15.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Falltid:	9.8 ns
Transkonduktans framåt - Min:	6.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	4.7 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	36 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6.7 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RQ3G120BJFRATCB Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:ar

MOSFET-enheterna RQ3xFRATCB från ROHM Semiconductor är MOSFET:ar av fordonsklass som uppfyller AEC-Q101. MOSFET-enheterna har ett dräneringsspänningsområde på -40 V till 100 V, 8 kontakter, upp till 69 W effektförlust och ±12A till ±27 A kontinuerlig dräneringsström. RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:arna finns i N-kanal och P-kanal. Dessa effekt-MOSFET:ar finns i en liten HSMT8AG-kapsling med måtten 3,3 mm x 3,3 mm. RQ3xFRATCB effekt-MOSFET:arna är perfekta för avancerade system för förarassistans (ADAS), infotainment, belysning och kaross.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.