RS6E122BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6E122BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6E122BGTB1
Price: 26.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RS6E122BGTB1

Tillverk: Nr.:

RS6E122BGTB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er HSOP8 N-CH 30V 155A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RS6E122BGTB1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RS6E122BGTB1

På lager: 2 250

Lager:: 2 250

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 500
Fabrikens ledtid:: 18

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	26,95 kr	26,95 kr
	17,49 kr	174,90 kr
	12,10 kr	1 210,00 kr
	9,93 kr	4 965,00 kr
	9,56 kr	9 560,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	9,23 kr	23 075,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSOP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	155 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.16 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	50 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	89 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	40 ns
Transkonduktans framåt - Min:	55 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	19 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	66 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	31 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RS6E122BGTB1 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.