Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SBR2U30P1-7

Name: Diodes Incorporated SBR2U30P1-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR2U30P1-7
Price: 5.1 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

621-SBR2U30P1-7

Tillverk: Nr.:

SBR2U30P1-7

Tillverk:

Diodes Incorporated

Beskrivning:

Schottky-dioder och -likriktare 2A 30V Ultralow VF

Datablad:

SBR2U30P1-7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diodes Incorporated SBR2U30P1-7

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	5,10 kr	5,10 kr
	3,59 kr	35,90 kr
	2,67 kr	267,00 kr
	2,05 kr	1.025,00 kr
	1,84 kr	1.840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,58 kr	4.740,00 kr
	1,35 kr	8.100,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diodes Incorporated
Produktkategori:	Schottky-dioder och -likriktare
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Produkt:	Schottky Rectifiers
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerDI-123-2
Konfiguration:	Single
Teknologi:	Si
If - Framström:	2 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	30 V
Vf - Framspänning:	400 mV
Ifsm - Stötström framåt:	75 A
Ir - Motström:	400 uA
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	SBR2U
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Diodes Incorporated
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkttyp:	Schottky Diodes & Rectifiers
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	POWERDI
Vr - Backspänning:	30 V
Enhetens vikt:	18 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SBR2U30P1-7 Datablad (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBR2U AEC-Q101 Qualified Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR2U Super Barrier Rectifiers are qualified to the AEC-Q101 high-reliability standard for automotive use. Featuring Diodes Incorporated Super Barrier Rectifier SBR^® Technology, SBR2U Super Barrier Rectifiers offer low V_F, low power loss, and high efficiency. SBR2U Super Barrier Rectifiers are ideal for use in general rectification applications as boost or blocking diodes.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.