Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCS220AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220AE2HRC11
Price: 96.58 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCS220AE2HRC11

Tillverk: Nr.:

SCS220AE2HRC11

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-schottkydioder AECQ

Datablad:

SCS220AE2HRC11 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11

På lager: 1 872

Lager:: 1 872 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	96,58 kr	96,58 kr
	55,66 kr	556,60 kr
	52,36 kr	5 236,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247N-3
Konfiguration:	Dual
If - Framström:	20 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1.55 V
Ifsm - Stötström framåt:	76 A
Ir - Motström:	200 uA
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Tube
Märke:	ROHM Semiconductor
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Pd - Effektavledning:	160 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	650 V
Del # Alias:	SCS220AE2HR

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCS220AE2HRC11 Datablad (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.