Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCT4045DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DW7TL
Price: 110.77 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCT4045DW7TL

Tillverk: Nr.:

SCT4045DW7TL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar TO263 750V 31A N-CH SIC

Datablad:

SCT4045DW7TL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCT4045DW7TL

På lager: 1 946

Lager:: 1 946 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 1946 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	110,77 kr	110,77 kr
	81,62 kr	816,20 kr
	65,23 kr	6.523,00 kr
	64,46 kr	32.230,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	60,94 kr	60.940,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	31 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	59 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	63 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	93 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	ROHM Semiconductor
Överensstämmelse:	Done
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	9.3 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	16 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	27 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.1 ns
Del # Alias:	SCT4045DW7

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT4045DW7TL Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SCT4045DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DW7 N-Ch SiC power MOSFET offers low on-resistance of 45mΩ and a fast switching speed. The 750V SCT4045DW7 is simple to drive and easy to parallel. The device is suitable for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.