Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SI7309DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7309DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7309DN-T1-GE3
Price: 14.85 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

781-SI7309DN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SI7309DN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Datablad:

SI7309DN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SI7309DN-T1-GE3

På lager: 27 442

Lager:: 27 442 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	14,85 kr	14,85 kr
	9,38 kr	93,80 kr
	6,26 kr	626,00 kr
	4,92 kr	2.460,00 kr
	4,49 kr	4.490,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,37 kr	13.110,00 kr
	4,21 kr	25.260,00 kr
	4,06 kr	36.540,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-1212-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	146 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	14.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	19.8 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	35 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15 ns
Serie:	SI7
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Del # Alias:	SI7309DN-GE3
Enhetens vikt:	1 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SI7309DN-T1-GE3 Datablad

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.