SI8483DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Vishay Semiconductors SI8483DB-T2-E1

På lager: 32 364

Lager:
32 364 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
9,36 kr 9,36 kr
4,97 kr 49,70 kr
3,55 kr 355,00 kr
2,99 kr 1.495,00 kr
2,73 kr 2.730,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
2,41 kr 7.230,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-6
P-Channel
1 Channel
12 V
16 A
22 mOhms
- 10 V, 10 V
800 mV
65 nC
- 55 C
+ 150 C
13 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 10 ns
Transkonduktans framåt - Min: 10 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 25 ns
Serie: SI8
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 128,380 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.