Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SI8487DB-T1-E1

Name: Vishay SI8487DB-T1-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8487DB-T1-E1
Price: 10.98 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SI8487DB-T1-E1

Tillverk: Nr.:

SI8487DB-T1-E1

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

Datablad:

SI8487DB-T1-E1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SI8487DB-T1-E1

På lager: 8 604

Lager:: 8 604

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000
Fabrikens ledtid:: 4

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	10,98 kr	10,98 kr
	6,86 kr	68,60 kr
	4,51 kr	451,00 kr
	3,50 kr	1.750,00 kr
	3,18 kr	3.180,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,75 kr	8.250,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	MicroFoot-4
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	7.7 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	25 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.2 V
Qg - Gate-laddning:	80 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.7 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Falltid:	60 ns
Transkonduktans framåt - Min:	16 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	22 ns
Serie:	SI8
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	195 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Del # Alias:	SI8487DB-E1
Enhetens vikt:	45,104 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SI8487DB-T1-E1 Datablad

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs

Vishay Siliconix's Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs set new benchmarks for size and on-resistance. The new Si8497DB is the industry's first 30V chipscale MOSFET in the compact 1 mm by 1.5 mm size, making it the smallest such device on the market, while the Si8487DB provides the lowest on-resistance available for a 30V chipscale device in the 1.6 mm by 1.6 mm form factor. Vishay's TrenchFET Gen III P-channel technology uses advanced process techniques to pack one billion transistor cells into each square inch of silicon. The Si8497DB and Si8487DB will be used for load, battery, and charger switching in handheld devices including smart phones, tablets, point-of-sale (POS) devices, and mobile computing.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.