Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 22.99 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SISF02DN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SISF02DN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

MOSFET:er PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Datablad:

SISF02DN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors SISF02DN-T1-GE3

På lager: 3 509

Lager:: 3 509 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 9 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	22,99 kr	22,99 kr
	13,09 kr	130,90 kr
	9,75 kr	975,00 kr
Komplett Ammunitionsförpackning (beställ i multiplar av 3000)
	8,57 kr	25.710,00 kr
	6,60 kr	39.600,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-1212-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.15 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.1 V
Qg - Gate-laddning:	51 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	52 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerPAK
Förpackning:	Ammo Pack
Märke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	105 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	17 ns
Serie:	SISF
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	24 ns
Enhetens vikt:	1 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SISF02DN-T1-GE3 Datablad

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.