Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SISS52DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS52DN-T1-GE3
Price: 16.06 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SISS52DN-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SISS52DN-T1-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

Datablad:

SISS52DN-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SISS52DN-T1-GE3

På lager: 4 052

Lager:: 4 052 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	16,06 kr	16,06 kr
	10,31 kr	103,10 kr
	6,85 kr	685,00 kr
	5,40 kr	2 700,00 kr
	4,62 kr	4 620,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	4,62 kr	13 860,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK1212-8S
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	162 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.2 V
Qg - Gate-laddning:	65 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	57 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay / Siliconix
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	6 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6 ns
Serie:	SISS
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N - Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	26 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	12 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SISS52DN-T1-GE3 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.