SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 376

Lager:
376
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
3 000
Fabrikens ledtid:
13
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
13,64 kr 13,64 kr
8,58 kr 85,80 kr
5,71 kr 571,00 kr
4,97 kr 2 485,00 kr
4,07 kr 4 070,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
3,60 kr 10 800,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3-8
N-Channel
2 Channel
30 V
30 A, 40 A
9.5 mOhms, 5.1 mOhms
- 16 V, 20 V
1 V
19 nC, 35 nC
- 55 C
+ 150 C
16.7 W, 31 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Falltid: 7 ns, 7 ns
Transkonduktans framåt - Min: 37 S, 60 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 55 ns, 82 ns
Serie: SIZ
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 16 ns, 20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 13 ns, 22 ns
Enhetens vikt: 143,050 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.