Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SQJ116EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ116EP-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SQJ116EP-T1_GE3
Price: 15.07 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SQJ116EP-T1_GE3

Tillverk: Nr.:

SQJ116EP-T1_GE3

Tillverk:

Vishay

Beskrivning:

MOSFET:er N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SQJ116EP-T1_GE3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 160

Lager:: 3 160 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 5 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	15,07 kr	15,07 kr
	9,34 kr	93,40 kr
	6,08 kr	608,00 kr
	4,69 kr	2.345,00 kr
	4,24 kr	4.240,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,40 kr	10.200,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK SO-8L
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	37 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	64 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	84 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	88 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	44 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	3 ns
Serie:	SQJ
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1-N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SQJ116EP-T1_GE3 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.