SQJ409EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQJ409EP-T2_GE3
SQJ409EP-T2_GE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 37 748

Lager:
37 748 Kan skickas omedelbart
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
19,25 kr 19,25 kr
12,43 kr 124,30 kr
8,33 kr 833,00 kr
6,61 kr 3.305,00 kr
6,25 kr 6.250,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
6,14 kr 18.420,00 kr
5,83 kr 34.980,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay / Siliconix
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkttyp: MOSFETs
Serie: SQJ
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.