SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Vishay Semiconductors SQUN702E-T1_GE3

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
39,16 kr 39,16 kr
28,71 kr 287,10 kr
20,46 kr 2 046,00 kr
18,92 kr 9 460,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
17,60 kr 35 200,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Triple
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: DE
Falltid: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Transkonduktans framåt - Min: 16 S, 19 S, 65 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie: SQUN
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 7 ns, 8 ns, 10 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.