Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TGF2023-2-01

Name: Qorvo TGF2023-2-01
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2023-2-01
Price: 512.38 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-TGF2023-2-01

Tillverk: Nr.:

TGF2023-2-01

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

TGF2023-2-01 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo TGF2023-2-01

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 50 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	512,38 kr	25.619,00 kr
	480,48 kr	48.048,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	Die
Transistorns polaritet:	N-Channel
Märke:	Qorvo
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	18 dB
Maximal driftsfrekvens:	18 GHz
Minsta driftfrekvens:	0 Hz
Utgångseffekt:	6 W
Förpackning:	Gel Pack
Produkt:	RF JFET Transistors
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	TGF2023
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN-on-SiC
Transistortyp:	GaN HEMT
Typ:	GaN SiC HEMT
Del # Alias:	1099624
Enhetens vikt:	739,600 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Filtrera dokument:

Datablad

TGF2023-2-01 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.