TK080A60Z1,S4X

Name: Toshiba TK080A60Z1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080A60Z1S4X
Price: 48.29 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK080A60Z1S4X

Tillverk: Nr.:

TK080A60Z1,S4X

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

TK080A60Z1,S4X Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK080A60Z1,S4X

På lager: 116

Lager:: 116

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 50
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	48,29 kr	48,29 kr
	28,82 kr	288,20 kr
	21,89 kr	2.189,00 kr
	20,02 kr	10.010,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220SIS-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	30 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	43 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	45 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	5 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	35 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	93 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	60 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK080A60Z1,S4X Datablad

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.