Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

UF3C120080B7S

Name: onsemi UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120080B7S
Price: 169.95 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

431-UF3C120080B7S

Tillverk: Nr.:

UF3C120080B7S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Datablad:

UF3C120080B7S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi UF3C120080B7S

På lager: 722

Lager:: 722 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 22 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	169,95 kr	169,95 kr
	121,00 kr	1.210,00 kr
	114,07 kr	11.407,00 kr
	113,19 kr	56.595,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	106,48 kr	85.184,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	28.8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	85 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	6 V
Qg - Gate-laddning:	23 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	190 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SiC FET
Märke:	onsemi
Överensstämmelse:	Done
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9 ns, 8 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	7 ns, 6 ns
Serie:	UF3C
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	31 ns, 33 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

UF3C120080B7S Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.