Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

UF3SC065040B7S

Name: onsemi UF3SC065040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065040B7S
Price: 164.89 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

431-UF3SC065040B7S

Tillverk: Nr.:

UF3SC065040B7S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 650V/40MOSICFETG3TO263-7

Datablad:

UF3SC065040B7S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi UF3SC065040B7S

På lager: 738

Lager:: 738 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 738 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	164,89 kr	164,89 kr
	117,26 kr	1.172,60 kr
	109,78 kr	10.978,00 kr
	108,13 kr	54.065,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 800)
	102,41 kr	81.928,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	43 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	42 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	6 V
Qg - Gate-laddning:	43 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	195 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SiC FET
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	9 ns, 12 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC FETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	24 ns, 27 ns
Serie:	UF3SC
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typ:	SiC FET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	45 ns, 47 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Enhetens vikt:	4,675 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

UF3SC065040B7S Datablad

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.