UJ3N120035K3S

onsemi
431-UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S

Tillverk:

Beskrivning:
JFET:er 1200V/35MOSICJFETG3TO

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 584

Lager:
584 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
275,44 kr 275,44 kr
241,23 kr 2 412,30 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: JFET:er
RoHS-direktivet:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
1.2 kV
20 V
63 A
35 mOhms
429 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Märke: onsemi
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Produkttyp: JFETs
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: Transistors
Handelsnamn: SiC JFET
Enhetens vikt: 13,633 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.