Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

UJ3N120065K3S

Name: onsemi UJ3N120065K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120065K3S
Price: 199.65 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

431-UJ3N120065K3S

Tillverk: Nr.:

UJ3N120065K3S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

JFET:er 1200V/65MOSICJFETG3TO

Datablad:

UJ3N120065K3S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi UJ3N120065K3S

På lager: 516

Lager:: 516 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 31 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	199,65 kr	199,65 kr
	131,01 kr	1.310,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	JFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 20 V to 3 V
Drain-källans ström vid VGS=0:	5 uA
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	34 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	90 mOhms
Pd - Effektavledning:	254 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkttyp:	JFETs
Fabriksförpackningskvantitet:	600
Underkategori:	Transistors
Handelsnamn:	SiC JFET

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

UJ3N120065K3S Datablad

Models

UJ3N120065K3S SPICE Model (Text)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.