VS-4C20CP07LHM3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C20CP07LHM3
VS-4C20CP07LHM3

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-schottkydioder SicG4TO-2473L

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 500

Lager:
500 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
69,85 kr 69,85 kr
46,42 kr 464,20 kr
38,28 kr 3 828,00 kr
32,45 kr 16 225,00 kr
29,48 kr 29 480,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:  
Through Hole
TO-247AD-3
Common Cathode
10 A
650 V
1.3 V
60 A
50 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C20CP07LHM3
Märke: Vishay Semiconductors
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Effektavledning: 101 W
Produkttyp: SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet: 500
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning: 650 V
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.