VS-4C30E3P07L-M3

Name: Vishay VS-4C30E3P07L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30E3P07L-M3
Price: 68.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-VS-4C30E3P07L-M3

Tillverk: Nr.:

VS-4C30E3P07L-M3

Tillverk:

Vishay Semiconductors

Beskrivning:

SiC-schottkydioder SicG4TO-2473L

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

VS-4C30E3P07L-M3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay Semiconductors VS-4C30E3P07L-M3

På lager: 500

Lager:: 500 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	68,86 kr	68,86 kr
	45,76 kr	457,60 kr
	37,73 kr	3 773,00 kr
	32,01 kr	16 005,00 kr
	29,15 kr	29 150,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247AD-3
Konfiguration:	Single
If - Framström:	30 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	650 V
Vf - Framspänning:	1,33 V
Ifsm - Stötström framåt:	180 A
Ir - Motström:	125 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	VS-4C30E3P07L-M3
Förpackning:	Tube
Märke:	Vishay Semiconductors
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Effektavledning:	273 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	500
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	650 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

VS-4C30E3P07L-M3 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.