X2-Class IXYS MOSFET:er

Resultat: 72
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Datablad
101På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Datablad
29På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Datablad
350På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Datablad
42På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
Datablad
51På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 17 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 430 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Datablad
179På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Datablad
95På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
Datablad
206På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Datablad
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/12A TO-247
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Tube
IXYS MOSFET:er DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Tube
IXYS MOSFET:er IXTY4N65X2 TRL
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFET:er TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/18A TO-263
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 350
Multipla: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/12A TO-263
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/18A TO-247
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube