X2-Class IXYS MOSFET:er

Resultat: 72
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
IXYS MOSFET:er 650V/8A TO-263
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 650V/12A TO-263
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 650V/60A TO-268HV
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 29 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS IXFP36N55X2
IXYS MOSFET:er TO220 550V 36A N-CH X2CLASS Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Tube
IXYS IXFP14N55X2
IXYS MOSFET:er TO220 550V 14A N-CH X2CLASS Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Tube
IXYS IXTA30N65X2
IXYS MOSFET:er TO263 650V 30A N-CH X2CLASS Ledtid för icke lagerfört 41 Veckor
Min.: 300
Multipla: 50

Si Tube