Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GCMX008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX008C120S1-E1
Price: 314.38 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMX008C120S1-E1

Tillverk: Nr.:

GCMX008C120S1-E1

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

MOSFET-moduler Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

GCMX008C120S1-E1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMX008C120S1-E1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	314,38 kr	314,38 kr
	232,21 kr	2.322,10 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	188 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	12 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	536 W
Serie:	GCMX
Förpackning:	Tube
Märke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	28 ns
Höjd:	12.19 mm
Längd:	38.1 mm
Produkt:	Power Modules
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	36 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	MOSFET Power Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	89 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	35 ns
Vf - Framspänning:	3.8 V
Bredd:	25.3 mm

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMX008C120S1-E1 Datablad (PDF)

GEN3 1 200 V SiC MOSFET-effektmoduler

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.