BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 152.68 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-BM3G005MUV-LBE2

Tillverk: Nr.:

BM3G005MUV-LBE2

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

GaN FET PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

BM3G005MUV-LBE2 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2

På lager: 995

Lager:: 995 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	152,68 kr	152,68 kr
	118,14 kr	1.181,40 kr
	107,58 kr	10.758,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	97,35 kr	97.350,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VQFN-46
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	68.8 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	70 mOhms
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 105 C
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	Nano Cap; EcoGaN
Märke:	ROHM Semiconductor
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Falltid:	2.7 ns
Maximal driftsfrekvens:	2 MHz
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	GaN HEMT Power Stage
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	Si
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BM3G005MUV-LBE2 Datablad

Other

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.