B82804E0473A200

TDK
871-B82804E0473A200
B82804E0473A200

Tillverk:

Beskrivning:
Strömtransformatorer - Board Mount Push Pull, Turns Ratio 1 : 2.9 : 1, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

Livscykel:
Specialbeställning från fabrik:
Få ett anbud för att bekräfta tillverkarens aktuella pris, leveranstid och beställningsvillkor.

På lager: 200

Lager:
200 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
25 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 200 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
47,85 kr 47,85 kr
38,28 kr 382,80 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
250 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
TDK
Produktkategori: Effekttransformatorer för kretskortsmontering
RoHS-direktivet:  
Märke: TDK
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Höjd: 10.55 mm
Induktans: 47 uH
Längd: 11.45 mm
Maximal drifttemperatur: + 150 C
Minsta drifttemperatur: - 40 C
Monteringsstil: SMD/SMT
Manövreringsfrekvens: 100 kHz to 400 kHz
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Primärlindning: Single Primary Winding
Produkt: Power Transformers
Produkttyp: Power Transformers
Sekundärlindning: Dual Secondary Winding
Serie: EP9
Fabriksförpackningskvantitet: 250
Underkategori: Transformers
Termineringsstil: SMD/SMT
Vridförhållande: 1:2.9:1
Typ: Push-Pull
Bredd: 10.7 mm
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8504312000
ECCN:
EAR99

EP9 IGBT-portdrivkretstransformatorer

EPCOS/TDK EP9 IGBT Gate Drive Transformers are compact devices built on an MnZn ferrite core with an SMD L-pin construction.These transformers offer excellent insulation, minimal coupling capacitance, and high thermal resilience. The EP9 IGBT gate drive transformers support half-bridge or push-pull topologies. These transformers feature a 2pF low coupling capacity and ≥5mm clearance distance (cumulative and core floating). The EP9 IGBT gate drive transformers operate within the 100kHz to 400kHz frequency range and -40°C to 150°C temperature range.  These transformers are RoHS compliant and AEC-Q200 qualified. The EP9 IGBT gate drive transformers are designed specifically for IGBT and FET gate driver circuits. Typical applications include isolated DC-DC converters, isolated AC-DC converters, and gate driver circuits.