BD12780MUV-LBE2

ROHM Semiconductor
755-BD12780MUV-LBE2
BD12780MUV-LBE2

Tillverk:

Beskrivning:
Spänningsstyrenheter med hotswap PMIC, Hot Swap Controller & Digital Power/Engergy Montiro with PMBus Interface

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 920

Lager:
1 920 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
209,22 kr 209,22 kr
167,64 kr 1.676,40 kr
157,19 kr 3.929,75 kr
145,64 kr 14.564,00 kr
140,25 kr 35.062,50 kr
136,95 kr 68.475,00 kr
135,52 kr 135.520,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
129,58 kr 323.950,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: Spänningsstyrenheter med hotswap
Controllers
20 V
4.5 V
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
VQFN-32
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: ROHM Semiconductor
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Ingångs-/matningsspänning - Max: 20 V
Ingångs-/matningsspänning - Min: 4.5 V
Produkttyp: Hot Swap Voltage Controllers
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390070
ECCN:
EAR99

LM5060 High-Side Protection Controllers

Texas Instruments LM5060 High-Side Protection Controllers with Low Quiescent Current offers intelligent control of a high-side N-channel MOSFET during normal on/off transitions and fault conditions. The constant rise time of the output voltage results from the inrush current control. Both an Input UVLO (with hysteresis) and a programmable input OVP are provided, with an enable input offering a remote on or off control. The initial start-up VGS fault detection delay time, the transition VDS fault detection delay time, and the continuous over-current VDS fault detection delay time is programmed from a single capacitor. The MOSFET is latched off until either the enable input, or the UVLO input is toggled low and then high when a detected fault condition persists longer than the allowed fault delay time.

PRESENTERADE PRODUKTER
ROHM SEMICONDUCTOR