IXTA2N100P-TRL

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXTA2N100P-TRL

Tillverk: Nr.:

IXTA2N100P-TRL

Tillverk:

IXYS

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lager:: Inte tillgänglig

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Begär ett pris

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.5 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	24.3 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	86 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	Polar
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Falltid:	27 ns
Transkonduktans framåt - Min:	1 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	29 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	80 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Enhetens vikt:	4 g