Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SICW100N065H-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW100N065H-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW100N065H-BP
Price: 65.34 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

833-SICW100N065H-BP

Tillverk: Nr.:

SICW100N065H-BP

Tillverk:

Micro Commercial Components (MCC)

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC MOSFET,TO-247AB

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SICW100N065H-BP Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Micro Commercial Components (MCC) SICW100N065H-BP

På lager: 337

Lager:: 337 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 36 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 337 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	65,34 kr	65,34 kr
	47,85 kr	478,50 kr
	38,83 kr	3.883,00 kr
	34,43 kr	17.215,00 kr
	30,47 kr	30.470,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247AB-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	32 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	130 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.6 V
Qg - Gate-laddning:	66 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	166 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	15 ns
Transkonduktans framåt - Min:	8.5 S
Förpackning:	Bulk
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	17 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	15 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SICW100N065H-BP Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

SICWx kiselkarbid (SiC) MOSFET-enheter

Micro Commercial Components (MCC) SICWx kiselkarbid (SiC) MOSFET-enheter är höghastighetsväxlande 650 V SiC-MOSFET-enheter. MOSFET-enheterna använder SiC MOSFET-teknik och är väl lämpade för högspänningstillämpningar, vilket ger tillförlitlig drift i tuffa industriella miljöer. SICWx MOSFET-enheterna är utformade med låg R_{DS (on)}och låg gate-laddning för att minska switchförluster och bidra till högre övergripande systemeffektivitet. Den effektivitetsförstärkande utformningen och TO-247-kapslingen ger överlägsen värmeprestanda, medan alternativen med 3 eller 4-stift (Kelvin-källstift) ökar mångsidigheten. SICWx MOSFET-enheterna är tillverkade i en robust design och avalanche-kompatibla, vilket möjliggör bättre värmehantering och effektivitet. MOSFET-enheterna används idealiskt i strömförsörjningar, telekommunikation, system för förnybar energi och motordrivenheter.