STMicroelectronics Åtskilda halvledare

Resultat: 4 072
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS Produkttyp
Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Datablad
37På lager
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8
STMicroelectronics MOSFET:er N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datablad
1 003På lager
1 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFET:er N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datablad
1 043På lager
Min.: 1
Multipla: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Datablad
540På lager
600På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Datablad
766På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
Datablad

MOSFETs
STMicroelectronics MOSFETs N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
Datablad

MOSFETs
STMicroelectronics SiC-schottkydioder 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Datablad
585På lager
600På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics TN8050H-12PI
STMicroelectronics SCR-enheter 80 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor
Datablad
594På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SCRs
STMicroelectronics Schottky-dioder och -likriktare Aerospace 45 V power Schottky rectifier - Engineering model
Datablad
72På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Schottky-dioder och -likriktare Aerospace 40 V 3 A power Schottky rectifier - Engineering model
Datablad
155På lager
18På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Bipolära transistorer - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Datablad
144På lager
Min.: 1
Multipla: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Bipolära transistorer - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Datablad
21På lager
Min.: 1
Multipla: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4
STMicroelectronics Bipolära transistorer - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Datablad
27På lager
Min.: 1
Multipla: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMD.5


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Datablad
557På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Datablad
118På lager
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datablad
169På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Datablad
527På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Datablad
478På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datablad
569På lager
Mer info finns
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Datablad
459På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Datablad
338På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Datablad
592På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datablad
587På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datablad
537På lager
600På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4