Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QPD0060

Name: Qorvo QPD0060
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0060
Price: 1551.55 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD0060

Tillverk: Nr.:

QPD0060

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V

Datablad:

QPD0060 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD0060

På lager: 19

Lager:: 19 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1.551,55 kr	1.551,55 kr
	1.105,28 kr	27.632,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
	934,23 kr	93.423,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-6
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	48 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Märke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Utvecklingskit:	QPD0060PCB4B01
Förstärkning:	16.2 dB
Maximal driftsfrekvens:	3.8 GHz
Minsta driftfrekvens:	1.8 GHz
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	90 W
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD0060
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Del # Alias:	1131037 QPD0060SR

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD0060 Datablad (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.