QPD1009 GaN FET

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning
Qorvo GaN FET DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FET DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 500
Multipla: 500
: 500
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W