QPD1025 GaN FET

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Vgs - Gate-källans spänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning
Qorvo GaN FET 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN 13På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN FET 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W
Qorvo GaN FET DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W