+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GCMS020B120S1-E1

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GCMS020B120S1-E1

Tillverk: Nr.:

GCMS020B120S1-E1

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Datablad:

GCMS020B120S1-E1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GCMS020B120S1-E1

Leveransbegränsning:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
Leveransbegränsning:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	Silicon Carbide (SiC) Module
Teknologi:	SiC
Vf - Framspänning:	1.49 V
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, + 10 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Förpackning:	Tube
Märke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	25 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	113 A
Pd - Effektavledning:	395 W
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	28 mOhms
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	46 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	25 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GCMS020B120S1-E1 Datablad (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.