IMZA75R008M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA75R008M1HXKS
Price: 376.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMZA75R008M1HXKS

Tillverk: Nr.:

IMZA75R008M1HXKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er SILICON CARBIDE MOSFET

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

IMZA75R008M1HXKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMZA75R008M1HXKSA1

På lager: 239

Lager:: 239 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	376,42 kr	376,42 kr
	294,03 kr	2.940,30 kr
	260,15 kr	26.015,00 kr
	247,61 kr	118.852,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	SiC
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	163 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 5 V, 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.6 V
Qg - Gate-laddning:	178 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	517 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Förpackning:	Tube
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Falltid:	16 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	30 ns
Serie:	G2
Fabriksförpackningskvantitet:	240
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	50 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	22 ns
Del # Alias:	IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMZA75R008M1HXKSA1 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.