IXYS MOSFET:er

Resultat: 1 577
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn Förpackning
IXYS MOSFET:er 8 Amps 1500V 398På lager
600På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 360Amps 55V 518På lager
530På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 4 Amps 1000V 2.8 Rds 414På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET:er 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET 664På lager
300På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 120 Amps 150V 0.016 Rds 384På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 140 Amps 100V 0.011 Rds 1 276På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 600V 30A 1 733På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 500V 44A 483På lager
100På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A 1 197På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 600V 64A 370På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TO220 650V 34A N-CH X3CLASS 684På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er TO220 300V 72A N-CH X3CLASS 974På lager
700På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er 96 Amps 200V 0.024 Rds 678På lager
570På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2 118På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds 170På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 26 Amps 1200V 1 Rds 614På lager
660På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A 826På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er PolarP2 Power MOSFET 806På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET:er TenchP Power MOSFET 2 106På lager
1 450På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 396På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET:er TrenchP Power MOSFET 549På lager
390På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 68 A 55 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 380 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET:er TO247 N-CH 75V 80A 422På lager
600På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET:er High Voltage Power MOSFET 272På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 726På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET:er TenchP Power MOSFET 2 772På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube